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第411章 芯片流片失败的原因竟然是日本的晶圆问题(第2页)

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这种方法简单直接,但检测精度有限,对于较小的缺陷可能难以发现。

而通过光学干涉测量来检测就精准得多。

通过比较反射光的干涉图案来检测晶圆表面的平整度和微小的高度差,能够发现纳米级别的表面缺陷。

第二种方法是电子束检测。

在扫描电子显微镜下,用聚焦电子束扫描晶圆表面,产生二次电子图像,可以高分辨率地观察晶圆的微观结构和缺陷,对检测尺寸非常小的缺陷很有效。

还可以用电子束诱导电流来检测。

主要用于检测半导体晶圆中的电学性能缺陷,如晶体缺陷、杂质分布等,通过电子束激发产生的电流变化来发现缺陷。

第三种方法是X射线检测。

在X射线衍射下,通过分析X射线在晶圆晶体结构中的衍射图案,来检测晶体结构的完整性,如晶格畸变、多晶现象等缺陷。

在X射线断层扫描下,可以对晶圆内部进行三维成像,用于检测内部的裂纹、空洞等缺陷,这种技术对复杂的三维缺陷检测效果较好。

很快,三个小时过去了。

通过三种方法检测的人都暂时没有检测出晶圆缺陷的。

就在叶云州他们准备要排查晶圆材料问题的时候,一位检测人员大呼道:“这块晶圆有问题。”

叶云州一看,原来是一位用电子束检测的年轻的技术员。

“哦,什么问题?”

“这块晶圆的杂质明显偏多,还有,大部分面积有晶体缺陷。”

梁梦松一听,亲自前去查看。

“董事长,小杨说道没错,这块晶圆材料确实有问题。”

梁梦松看完后说道。

“好,继续检测。”

叶云州肯定,既然发现了一块有问题,必定能够发现更多。

果不其然,随后的两小时里又检测出了几十片有缺陷的晶圆材料。

“梁博士,你先拿今天检测合格的晶圆材料,安排明天继续流片。”

“好的,董事长。”

现在梁梦松也高度怀疑流片不成功的罪魁祸首是晶圆材料问题了。

“好了,大家先下班吧,以后大家在材料检测的时候一定要细心。

嗯,还有,让我们供应链的负责人联系SUMCO公司的人,竟然给我们提供那么多有缺陷的晶圆材料,让SUMCO公司给我们星耀半导体一个合理解释。”

叶云州说完,带着助理苏瑶离开了工厂。

回到办公室,叶云州问苏瑶:“战略规划部的叶伟信去哪里了?这两天我怎么都没见到他?”

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“董事长,伟信总他们巡店去了。”

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