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其他如相变存储器（pcm）、自旋磁存储器
（mram）
等，也作为存算一体新的技术路径。
存算一体的计算方式分为数字计算和模拟计算。
数字计算主要以sram
作为存储器件，具有高性能、高精度的优势，更适合大算力高能效场景。
模拟计算通常使用
flash、reram
等非易失性介质作为存储器件，
存储密度大，并行度高，更适合算力，
计算精度要求不高的场景。
目前，存算一体已经在产业细分领域掀起了创业浪潮，并受到投资界和产业界的关注和投入。
存算一体在技术上向着高精度、高算力和高能效的方向发展。
在资本和产业双轮驱动下，基于
sram、nor
flash
等成熟存储器的存内计算将在垂直领域迎来规模化商用，算力、低功耗场景有望优先迎来产品和生态的升级迭代，大算力通用计算场景或将进入技术产品化初期。
基于非易失性、新型存储元件的存算一体依赖于工艺、良率的提升，
走向成熟预计需要
5-10
年。
注:（免责申明）本文仅为个人笔记，内含个股仅仅是作为分析参考，不能作为投资决策的依据，不构成任何建议，据此入市风险自担。
股市有风险，投资需谨慎！
知音难觅，也是人生常态，一曲众寡，尽管少有人懂，但是我自有我的风采
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