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一是刚刚我说的原因，我也要借鸡生蛋。
但我为什么不发布0.8微米、0.6微米的指引
就是让那群猪避开章忠谋，同时也让章忠谋可以安心的在内地下0.6微米甚至0.35微米的产能。
让他以为国内没有0.35微米，他可以天下无敌。
当然，我不可能预设他很傻，所以我安排了鹏城0.8微米和长安0.6微米两座晶圆厂。
到时候逐次放出消息去，连续两次，他不可能不上当的。
让他在1微米或者0.8微米、0.6微米上去和我们抛出来的诱饵上去打。
他尽情的打，他打得越狠，我越高兴！
特别是1微米上面，相当于是他在为我清理障碍。
而后，等我的光刻工厂一出，我再在0.8微米、0.6微米和0.35微米上和他决战。
您也知道的，那光刻工厂一开，月产能直接上千万片的。
我甚至说是完全可以把芯片给干成一斤几十元我还可以包邮的水平。
我到时候还得发愁那么多晶圆片怎么卖的问题，他拿什么给我玩
所以，他建的厂越多，在我看来，越好！
快速的收拾掉他后，我得赶紧把光刻工厂给转型升级，迁入更多的芯片厂到它周边去。
不然那产能生产半年的，我三年都卖不完。”
光刻工厂，其实从来都不是什么新鲜玩意儿。
ssmb-euv确实是2008年由杨振宁及其弟子开始进行路线研究，在2011年正式提出，2014年完成了关键技术的原理验证，并申请了多项核心专利。
但ssmb（steady-statemicrobunching）这一技术的概念最早由阿美丽卡阿贡国家实验室在上个世纪就提出来了。
ssmb全称为稳态微聚束技术，是一种利用激光对环形加速器内的电子束进行精密调制，使电子束形成微结构（即微聚束），从而产生高强度、窄带宽、相干的同步辐射光源的创新方法。
而这个稳态微聚束，其波长可以从太赫兹到极紫外光段。
也就是说，这种光源本身就是兼容第三代和第四代光源特点的，可以实现从1084nm（约1微米）直至1nm制程的光源提供。
具体是多少纳米，全看接收光源后面的工艺制程。
最关键的是，它既不像lpp-euv只有500w功率限制，也不像sr-euv无法量产。
至于高耗能……
这在华国，以及卿云的提前规划里，根本不存在这个问题。
ssmb-euv要解决相关的问题达到几个纳米的制程，确实很难，有太多的难点需要攻克。
但duv已经是很成熟的。
而此时，卿云掏出来的，便是ssmb-euv的前代技术，ssmb-duv路径，也就是利用稳态微聚束的约1微米到193nm的波长来进行光刻。
而这种路径下，光刻工厂只要三块反射镜，镜片面积要求也小得多，只要商业化光刻机的十分之一。
本身光源质量上比asml的商业化光刻机强，整机开发难度下降了不少，对镜片的要求自然就降低了，刚好是国产镜片垫垫脚尖就能摸到的位置。
他说到这里的时候，梁猛松都忍不住笑了起来。
之前谁也不知道这光刻工厂这么猛的。
原本，整个国际市场月产能不过1300万片，而一个光刻工厂，是多种制程同时生产的，稳固态光束跑一圈就相当于是几千台光刻机同时开工。
爽是爽了，但产量就太恐怖了。
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